Objetivo de PVD de aleación Ti-al
El objetivo de recubrimiento es una fuente de pulverización que forma varias películas funcionales en el sustrato al pulverizar en condiciones de proceso apropiadas a través de la pulverización de magnetrón, el revestimiento de iones múltiples u otros tipos de sistemas de recubrimiento. En pocas palabras, el material objetivo es el material objetivo bombardeado por partículas cargadas de alta velocidad.
El objetivo de PVD de aleación TI-AL tiene una mejor resistencia mecánica, una mejor resistencia a la corrosión, una mejor biocompatibilidad, una mayor resistencia a la fatiga, un alto rendimiento de recubrimiento, una larga vida útil y resistencia al impacto que a otros objetivos metálicos.
El objetivo de PVD de aleación TI-AL a menudo se realiza mediante el método de fundición de fundición y el método de sinterización de polvo, y se puede usar ampliamente en muchos campos de recubrimiento de vacío, como decoración, procesamiento de moho, vidrio, dispositivos electrónicos, semiconductores, grabación magnética, pantalla plana, celdas solares, etc.
Específica de Ti-Al Alloy PVD Target
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Calificación |
Tial 80\/20,70\/30,50\/50 |
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Tipo |
Relación atómica |
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Pureza |
＞95% |
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Densidad |
4.2.g\/cm3 |
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Diámetro |
10 mm -200 mm |
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Espesor |
5-30 mm |
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Tipo |
Disco, cilíndrico |
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El tiempo de entrega |
25 días |
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Superficie |
Pulido |
Preguntas frecuentes:
¿Qué es el MOQ?
R: Depende de la cantidad, en general, no hay límite MOQ.
¿Cómo pagarlo?
R: Será aceptable una transferencia bancaria (t\/t).
¿Cuál es el tiempo de entrega?
A: alrededor de 7-20 días que depende de la cantidad y la producción.
¿Cuál es el paquete?
A: estuche de dibujos animados o estuche de madera contrachapada.
¿Cuál es el tiempo de entrega?
A: Desde el orden colocado a la recepción de carga tomará alrededor de 10-25 días.
¿Cuál es el método de entrega?
R: Generalmente, enviamos carga por UPS, DHL o FedEx. Además, podemos enviar por mar al puerto o por aire al aeropuerto más cercano.
Imagen del objetivo de PVD de aleación de Ti-al
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