Descripción de productos
El silicio policristalino, también llamado polisilicio o poli-Si, es una forma policristalina de silicio de alta pureza que se utiliza como materia prima en la industria de la energía solar fotovoltaica y la electrónica. El polisilicio se produce a partir de silicio de grado metalúrgico mediante un proceso de purificación química, llamado proceso Siemens. Este proceso implica la destilación de compuestos volátiles de silicio y su descomposición en silicio a altas temperaturas. Un proceso alternativo de refinamiento emergente utiliza un reactor de lecho fluidizado.
La industria fotovoltaica también produce silicio de grado metalúrgico mejorado (UMG-Si), utilizando procesos de purificación metalúrgicos en lugar de químicos. Cuando se produce para la industria electrónica, el polisilicio contiene niveles de impurezas de menos de una parte por mil millones (ppb), mientras que el silicio policristalino de grado solar (SoG-Si) es generalmente menos puro.
La materia prima de polisilicio (barras grandes, normalmente partidas en trozos de tamaños específicos y envasadas en salas blancas antes del envío) se moldea directamente en lingotes policristalinos o se somete a un proceso de recristalización para formar bolas monocristalinas. A continuación, los productos se cortan en finas obleas de silicio y se utilizan para la producción de células solares, circuitos integrados y otros dispositivos semiconductores.
El objetivo de pulverización catódica de silicio, como material funcional muy importante, se utiliza principalmente para depositar SiO2, Si3N4 y otras capas dieléctricas mediante el proceso de pulverización catódica magnética. Estas películas delgadas se caracterizan por una excelente dureza, propiedades ópticas y dieléctricas, resistencia al desgaste y a la corrosión, que se aplican ampliamente en el campo del vidrio conductor transparente para LCD, el vidrio de construcción LOW-E y la microelectrónica.
Especificaciones del silicio (Si)
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tipo de material |
Silicio |
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Símbolo |
Si |
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Peso atomico |
28.0855 |
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Número atómico |
14 |
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Color/Apariencia |
Gris oscuro con un matiz azulado, semimetálico |
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Conductividad térmica |
150 W/m.K |
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Punto de fusión (grado) |
1,410 |
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Resistividad en masa |
>1 OHMIO-CM |
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Coeficiente de expansión termal |
2.6 x 10-6/K |
Materiales relacionados con la pulverización catódica
Objetivo plano/rotativo de SiAl
Objetivo de pulverización catódica de SiO2
Objetivo de pulverización catódica de SiC
Blanco de pulverización catódica de Si3N4
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